Продукція > VISHAY > SIHFR1N60ATRL-GE3

SIHFR1N60ATRL-GE3 Vishay

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHFR1N60ATRL-GE3 Vishay

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 0.89A, Power dissipation: 36W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 7Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 5.6A, Gate charge: 14nC.

Інші пропозиції SIHFR1N60ATRL-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SIHFR1N60ATRL-GE3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFETs	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SIHFR1N60ATRL-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5.6A Gate charge: 14nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.