Продукція > VISHAY > SIHFR1N60ATRL-GE3

SIHFR1N60ATRL-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR1N60ATRL-GE3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 0.89A, Pulsed drain current: 5.6A, Power dissipation: 36W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHFR1N60ATRL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHFR1N60ATRL-GE3 SIHFR1N60ATRL-GE3 Виробник : Vishay 91267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SIHFR1N60ATRL-GE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній