Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHFR210TRL-GE3
SIHFR210TRL-GE3

SIHFR210TRL-GE3 Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR210TRL-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 1.7A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 25W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції SIHFR210TRL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHFR210TRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR210TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.