на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2175+ | 45.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR9024-GE3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -5.6A, Pulsed drain current: -35A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 19nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SIHFR9024-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR9024-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHFR9024-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V |
товару немає в наявності |
|
| SIHFR9024-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |