Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR9024-GE3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -5.6A, Pulsed drain current: -35A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 19nC.
Інші пропозиції SIHFR9024-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR9024-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V |
на замовлення 3438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHFR9024-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)