SIHFU420A-GE3 Vishay Semiconductors



Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 101-110 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFU420A-GE3 Vishay Semiconductors

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.1A, Power dissipation: 83W, Case: IPAK; TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 17nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 10A.

Інші пропозиції SIHFU420A-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHFU420A-GE3 VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.