Технічний опис SIHLR110TR-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.7A, Pulsed drain current: 17A, Power dissipation: 25W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 760mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHLR110TR-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHLR110TR-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHLR110TR-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| SIHLR110TR-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |