| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.16 грн |
| 10+ | 220.83 грн |
| 100+ | 143.84 грн |
| 500+ | 120.10 грн |
| 1000+ | 111.72 грн |
| 2000+ | 105.44 грн |
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Технічний опис SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 34W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.
Інші пропозиції SIHP15N65E-GE3 за ціною від 224.03 грн до 342.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIHP15N65E-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 34W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIHP15N65E-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - SIHP15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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| 3+ | 342.16 грн |
| 10+ | 224.03 грн |