Продукція > VISHAY > SIHP22N60S-E3
SIHP22N60S-E3

SIHP22N60S-E3 Vishay


sihp22n60s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP22N60S-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHP22N60S-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP22N60S-E3 SIHP22N60S-E3 Виробник : Vishay Siliconix sihp22n60s.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.