SIHR085N60EF-T1GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Технічний опис SIHR085N60EF-T1GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 184W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHR085N60EF-T1GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIHR085N60EF-T1GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SIHR085N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHR085N60EF-T1GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 600V
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHR085N60EF-T1GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)