Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHR100N60E-T1-GE3

SIHR100N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix


Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 164-173 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.73 грн
10+433.97 грн
25+356.16 грн
100+305.69 грн
250+288.14 грн
500+271.32 грн
1000+231.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 164-173 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHR100N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Power dissipation: 347W, Case: PowerPAK® 8x8L, On-state resistance: 85mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 16nC, Gate-source voltage: ±30V.

Інші пропозиції SIHR100N60E-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHR100N60E-T1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHR100N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.