Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHR100N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Power dissipation: 347W, Case: PowerPAK® 8x8L, On-state resistance: 87mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 53nC, Gate-source voltage: ±30V.
Інші пропозиції SIHR100N60EF-T1GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHR100N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 347W Case: PowerPAK® 8x8L On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHR100N60EF-T1GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Gate-source voltage: ±30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.