SIJ4108DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 70.63 грн |
| 500+ | 54.39 грн |
| 1000+ | 46.78 грн |
| 5000+ | 43.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJ4108DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 69.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Інші пропозиції SIJ4108DP-T1-GE3 за ціною від 43.71 грн до 155.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V |
на замовлення 11272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIJ4108DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 69.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 11552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIJ4108DP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.46 грн |
| 10+ | 102.79 грн |
| 100+ | 71.22 грн |
| 250+ | 65.57 грн |
| 500+ | 59.56 грн |
| 1000+ | 53.98 грн |
| 3000+ | 46.92 грн |
| SIJ4108DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 11552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 155.60 грн |
| 10+ | 100.20 грн |
| 100+ | 70.63 грн |
| 500+ | 54.39 грн |
| 1000+ | 46.78 грн |
| 5000+ | 43.71 грн |