SIJ4409DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix



Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ4409DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.9A; Idm: -200A; 32.8W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -200A, Power dissipation: 32.8W, Polarisation: unipolar, Drain current: -34.9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -40V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 9.6mΩ.

Інші пропозиції SIJ4409DP-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIJ4409DP-T1-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.9A; Idm: -200A; 32.8W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 32.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: -34.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 9.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ4409DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -34.9A; Idm: -200A; 32.8W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 32.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: -34.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 9.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.