SIJ4819DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V
MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.73 грн |
| 10+ | 148.70 грн |
| 100+ | 103.59 грн |
| 250+ | 95.27 грн |
| 500+ | 86.20 грн |
| 1000+ | 73.87 грн |
| 3000+ | 67.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJ4819DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Case: PowerPAK® SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -145A, Drain-source voltage: -80V, Drain current: -62A, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 69nC, On-state resistance: 38mΩ, Power dissipation: 145W, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIJ4819DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIJ4819DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -145A Drain-source voltage: -80V Drain current: -62A Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 69nC On-state resistance: 38mΩ Power dissipation: 145W кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
| SIJ4819DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -145A Drain-source voltage: -80V Drain current: -62A Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 69nC On-state resistance: 38mΩ Power dissipation: 145W |
товару немає в наявності |