SIJ4819DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 95.52 грн |
| 500+ | 68.10 грн |
| 1000+ | 61.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJ4819DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIJ4819DP-T1-GE3 за ціною від 58.14 грн до 225.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIJ4819DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIJ4819DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 13769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIJ4819DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -145A Drain-source voltage: -80V Drain current: -62A Gate charge: 69nC On-state resistance: 38mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 145W Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |