Продукція > VISHAY > SIR512DP-T1-BE3
SIR512DP-T1-BE3

SIR512DP-T1-BE3 Vishay


Виробник: Vishay
MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR512DP-T1-BE3 Vishay

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 100A, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 41nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.

Інші пропозиції SIR512DP-T1-BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR512DP-T1-BE3 Vishay Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-BE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-BE3
Виробник: Vishay
Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.