SIR516DP-T1-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.21 грн |
| 500+ | 58.02 грн |
| 1000+ | 53.07 грн |
| 5000+ | 49.37 грн |
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Технічний опис SIR516DP-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR516DP-T1-BE3 за ціною від 49.37 грн до 188.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIR516DP-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR516DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V |
на замовлення 5590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| SIR516DP-T1-BE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 176.78 грн |
| 10+ | 114.05 грн |
| 100+ | 78.21 грн |
| 500+ | 58.02 грн |
| 1000+ | 53.07 грн |
| 5000+ | 49.37 грн |
| SIR516DP-T1-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.19 грн |
| 10+ | 119.65 грн |
| 100+ | 71.22 грн |
| 500+ | 56.98 грн |
| 1000+ | 52.79 грн |
| 3000+ | 50.00 грн |