Продукція > VISHAY > SIR5712DP-T1-GE3

SIR5712DP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0021238688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR5712DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm.

Інші пропозиції SIR5712DP-T1-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SIR5712DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET	на замовлення 10324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SIR5712DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm	на замовлення 5936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SIR5712DP-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

на замовлення 10324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR5712DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.