SIR578DP-T1-BE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.35 грн |
| 10+ | 154.46 грн |
| 100+ | 107.46 грн |
| 500+ | 81.99 грн |
| 1000+ | 80.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR578DP-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR578DP-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR578DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V |
на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIR578DP-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIR578DP-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR578DP-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V
MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIR578DP-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR578DP-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)