SIR582DP-T1-BE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
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| 3+ | 154.55 грн |
| 10+ | 105.04 грн |
| 100+ | 72.51 грн |
| 500+ | 60.94 грн |
| 1000+ | 57.94 грн |
| 3000+ | 49.50 грн |
| 6000+ | 49.22 грн |
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Технічний опис SIR582DP-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR582DP-T1-BE3 за ціною від 116.32 грн до 178.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
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SIR582DP-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR582DP-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |