Продукція > VISHAY > SIR680ADP-T1-BE3

SIR680ADP-T1-BE3 VISHAY


4473530.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+240.81 грн
10+154.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR680ADP-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm.

Інші пропозиції SIR680ADP-T1-BE3 за ціною від 55.09 грн до 203.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR680ADP-T1-BE3 SIR680ADP-T1-BE3 VISHAY 4473530.pdf Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
10+129.40 грн
100+77.32 грн
500+62.96 грн
1000+61.72 грн
3000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3 4473530.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.77 грн
10+129.40 грн
100+77.32 грн
500+62.96 грн
1000+61.72 грн
3000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.