Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIR690DP-T1-RE3
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix

sir690dp.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.27 грн
10+120.97 грн
100+71.34 грн
500+57.12 грн
1000+52.60 грн
3000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR690DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції SIR690DP-T1-RE3 за ціною від 50.86 грн до 176.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR690DP-T1-RE3 SIR690DP-T1-RE3 VISHAY sir690dp.pdf Description: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 SIR690DP-T1-RE3 VISHAY sir690dp.pdf Description: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir690dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir690dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.58 грн
10+109.62 грн
50+83.27 грн
100+70.16 грн
500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
SIR690DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
SIR690DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.58 грн
10+109.62 грн
50+83.27 грн
100+70.16 грн
500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.