Продукція > VISHAY > SIRA10DDP-T1-GE3
SIRA10DDP-T1-GE3

SIRA10DDP-T1-GE3 Vishay


Виробник: Vishay
MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.48 грн
10+43.06 грн
100+24.43 грн
500+18.80 грн
1000+17.48 грн
3000+14.77 грн
6000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA10DDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції SIRA10DDP-T1-GE3 за ціною від 13.75 грн до 78.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.50 грн
10+46.93 грн
100+27.21 грн
500+26.91 грн
3000+22.96 грн
6000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024651737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024651737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3
SIRA10DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.50 грн
10+46.93 грн
100+27.21 грн
500+26.91 грн
3000+22.96 грн
6000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3 VISH-S-A0024651737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA10DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DDP-T1-GE3 VISH-S-A0024651737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA10DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 96 A, 3100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.