Продукція > VISHAY > SIRA12DDP-T1-GE3
SIRA12DDP-T1-GE3

SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.77 грн
500+18.80 грн
1000+15.30 грн
5000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIRA12DDP-T1-GE3 за ціною від 9.81 грн до 63.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.14 грн
10+34.71 грн
100+19.89 грн
500+15.64 грн
1000+13.72 грн
3000+11.59 грн
6000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.78 грн
10+36.37 грн
100+20.79 грн
500+16.40 грн
1000+14.41 грн
3000+12.14 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.55 грн
21+39.22 грн
100+25.77 грн
500+18.80 грн
1000+15.30 грн
5000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.