Продукція > VISHAY > SIRA12DDP-T1-GE3
SIRA12DDP-T1-GE3

SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.56 грн
500+24.13 грн
1000+20.65 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SIRA12DDP-T1-GE3 за ціною від 10.08 грн до 73.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.71 грн
10+35.66 грн
100+20.44 грн
500+16.07 грн
1000+14.10 грн
3000+11.91 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.43 грн
10+37.37 грн
100+21.36 грн
500+16.85 грн
1000+14.80 грн
3000+12.48 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.18 грн
16+52.22 грн
100+32.56 грн
500+24.13 грн
1000+20.65 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3
SIRA12DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.71 грн
10+35.66 грн
100+20.44 грн
500+16.07 грн
1000+14.10 грн
3000+11.91 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3
SIRA12DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.43 грн
10+37.37 грн
100+21.36 грн
500+16.85 грн
1000+14.80 грн
3000+12.48 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DDP-T1-GE3
SIRA12DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+73.18 грн
16+52.22 грн
100+32.56 грн
500+24.13 грн
1000+20.65 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.