SIRA12DDP-T1-UE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.15 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| 1000+ | 14.59 грн |
| 5000+ | 13.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA12DDP-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRA12DDP-T1-UE3 за ціною від 11.80 грн до 61.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA12DDP-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRA12DDP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIRA12DDP-T1-UE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 61.26 грн |
| 22+ | 38.21 грн |
| 100+ | 26.15 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| 1000+ | 14.59 грн |
| 5000+ | 13.27 грн |
| SIRA12DDP-T1-UE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.94 грн |
| 10+ | 37.50 грн |
| 100+ | 22.28 грн |
| 500+ | 17.46 грн |
| 1000+ | 14.52 грн |
| 3000+ | 13.20 грн |
| 6000+ | 11.80 грн |