SIRA20DDP-T1-UE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.09 грн |
| 500+ | 55.37 грн |
| 1000+ | 45.04 грн |
| 5000+ | 42.60 грн |
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Технічний опис SIRA20DDP-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIRA20DDP-T1-UE3 за ціною від 42.60 грн до 164.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
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SIRA20DDP-T1-UE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 337A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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