SIRA54DP-T1-GE3 Vishay
Виробник: VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 463+ | 26.82 грн |
| 470+ | 26.40 грн |
| 478+ | 25.99 грн |
| 486+ | 24.66 грн |
| 500+ | 22.47 грн |
| 1000+ | 21.21 грн |
| 3000+ | 20.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA54DP-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 23.5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 3.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 104nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SIRA54DP-T1-GE3 за ціною від 22.35 грн до 91.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA54DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 5432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIRA54DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIRA54DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SIRA54DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SIRA54DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 23.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |