| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 336+ | 42.12 грн |
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| 524+ | 26.94 грн |
| 529+ | 25.73 грн |
| 698+ | 18.06 грн |
| 1000+ | 15.46 грн |
| 3000+ | 11.25 грн |
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Технічний опис SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 36W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.
Інші пропозиції SIRA84BDP-T1-GE3 за ціною від 11.25 грн до 67.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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SIRA84BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 36W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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SIRA84BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 36W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 67.83 грн |
| 18+ | 42.53 грн |
| 25+ | 42.12 грн |
| 50+ | 40.22 грн |
| 100+ | 24.06 грн |
| 250+ | 22.87 грн |
| 500+ | 17.34 грн |
| 1000+ | 15.46 грн |
| 3000+ | 11.25 грн |
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)