SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.67 грн |
| 500+ | 16.65 грн |
| 1500+ | 15.06 грн |
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Технічний опис SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIRA84BDP-T1-GE3 за ціною від 10.17 грн до 65.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIRA84BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 56A; Idm: 150A; 23W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 56A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 7.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |