| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 357.50 грн |
| 10+ | 227.92 грн |
| 100+ | 147.73 грн |
| 500+ | 130.91 грн |
| 3000+ | 110.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRS4300DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 544A; Idm: 800A, Pulsed drain current: 800A, Power dissipation: 278W, Gate charge: 84nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 544A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -16...20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 0.4mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції SIRS4300DP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRS4300DP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 544A; Idm: 800A Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 278W Gate charge: 84nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 544A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -16...20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 0.4mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIRS4300DP-T1-RE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 544A; Idm: 800A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 84nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 544A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 544A; Idm: 800A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 84nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 544A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.