SIRS510DPW-T1-RE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 276.44 грн |
| 10+ | 178.30 грн |
| 100+ | 112.62 грн |
| 500+ | 94.34 грн |
| 1000+ | 87.76 грн |
| 3000+ | 81.91 грн |
| 6000+ | 74.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRS510DPW-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 200A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 171W, Gate charge: 32nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 3.8mΩ.
Інші пропозиції SIRS510DPW-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRS510DPW-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 200A Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 171W Gate charge: 32nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 3.8mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIRS510DPW-T1-RE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 171W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.8mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 171W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.8mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.