SIRS578DPW-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 140.58 грн |
| 500+ | 110.09 грн |
| 1000+ | 96.54 грн |
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Технічний опис SIRS578DPW-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRS578DPW-T1-RE3 за ціною від 96.54 грн до 282.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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SIRS578DPW-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIRS578DPW-T1-RE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET |
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