SIRS578DPW-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
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Технічний опис SIRS578DPW-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 171W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm.
Інші пропозиції SIRS578DPW-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIRS578DPW-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 171W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm |
на замовлення 6016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIRS578DPW-T1-RE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)