Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRS700DP-T1-RE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 102A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 84W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 130nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SIRS700DP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIRS700DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 102A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 84W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIRS700DP-T1-RE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIRS700DP-T1-RE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 84W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 84W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIRS700DP-T1-RE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIRS700DP-T1-RE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.