SIS108DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 16876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 53.34 грн |
| 17+ | 45.87 грн |
| 100+ | 43.7 грн |
| 500+ | 39.75 грн |
| 1000+ | 35.99 грн |
| 5000+ | 35.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS108DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Інші пропозиції SIS108DN-T1-GE3 за ціною від 41.35 грн до 69.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS108DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 28742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIS108DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |