Продукція > VISHAY > SIS108DN-T1-GE3
SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.30 грн
500+31.70 грн
1000+24.13 грн
5000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS108DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS108DN-T1-GE3 за ціною від 21.98 грн до 90.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS108DN-T1-GE3 SIS108DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.77 грн
15+58.46 грн
100+44.30 грн
500+31.70 грн
1000+24.13 грн
5000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3 SIS108DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 24754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.07 грн
10+59.67 грн
100+36.15 грн
500+31.40 грн
1000+26.80 грн
3000+24.72 грн
6000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS108DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.