SIS4406DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 107.66 грн |
| 12+ | 67.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS4406DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SIS4406DN-T1-GE3 за ціною від 22.06 грн до 111.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS4406DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 10765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIS4406DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |