Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS9446DN-T1-GE3
SIS9446DN-T1-GE3

SIS9446DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis9446dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.3A PWRPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS9446DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SIS9446DN-T1-GE3 за ціною від 35.10 грн до 147.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS9446DN-T1-GE3 SIS9446DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis9446dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.3A PWRPAIR
на замовлення 5131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.67 грн
10+81.33 грн
50+61.23 грн
100+51.38 грн
500+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 SIS9446DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis9446dn.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+147.61 грн
10+69.64 грн
100+54.12 грн
500+42.93 грн
1000+41.76 грн
3000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 SIS9446DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 SIS9446DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 sis9446dn.pdf
SIS9446DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.3A PWRPAIR
на замовлення 5131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.67 грн
10+81.33 грн
50+61.23 грн
100+51.38 грн
500+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 sis9446dn.pdf
SIS9446DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.61 грн
10+69.64 грн
100+54.12 грн
500+42.93 грн
1000+41.76 грн
3000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 VISH-S-A0023700246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS9446DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3 VISH-S-A0023700246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS9446DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.