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Технічний опис SISD5110DN-T1-UE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.
Інші пропозиції SISD5110DN-T1-UE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SISD5110DN-T1-UE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SISD5110DN-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISD5110DN-T1-UE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISD5110DN-T1-UE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)