SISD5300DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.74 грн |
| 500+ | 52.76 грн |
| 1000+ | 47.04 грн |
| 5000+ | 38.91 грн |
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Технічний опис SISD5300DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SISD5300DN-T1-GE3 за ціною від 38.91 грн до 162.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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SISD5300DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8F, 0.87 mohm a. 10V, 1.3 mohm a. 4.5V |
на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SISD5300DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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