SISD5806DN-T1-UE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 73.81 грн |
| 500+ | 58.10 грн |
| 1000+ | 44.76 грн |
| 5000+ | 42.59 грн |
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Технічний опис SISD5806DN-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISD5806DN-T1-UE3 за ціною від 42.59 грн до 166.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SISD5806DN-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SISD5806DN-T1-UE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 166.19 грн |
| 10+ | 106.72 грн |
| 100+ | 73.81 грн |
| 500+ | 58.10 грн |
| 1000+ | 44.76 грн |
| 5000+ | 42.59 грн |