на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 22.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISHA10DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm.
Інші пропозиції SISHA10DN-T1-GE3 за ціною від 20.65 грн до 67.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISHA10DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm |
на замовлення 5778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISHA10DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm |
на замовлення 5778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISHA10DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) FAST SWITC |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISHA10DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |