Продукція > VISHAY > SISHA10DN-T1-GE3
SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3 Vishay

sisha10dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISHA10DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISHA10DN-T1-GE3 за ціною від 18.39 грн до 81.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2816257.pdf Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.62 грн
500+28.20 грн
1000+21.15 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2816257.pdf Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.81 грн
17+49.93 грн
100+38.62 грн
500+28.20 грн
1000+21.15 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs POWRPK N CHAN 30V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.54 грн
10+50.85 грн
100+34.28 грн
500+29.94 грн
1000+26.41 грн
3000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.