SISS26LDN-T1-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.39 грн |
| 500+ | 39.09 грн |
| 1000+ | 32.70 грн |
| 5000+ | 31.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS26LDN-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS26LDN-T1-BE3 за ціною від 28.83 грн до 134.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS26LDN-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS26LDN-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SISS26LDN-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 121.70 грн |
| 11+ | 77.54 грн |
| 100+ | 51.39 грн |
| 500+ | 39.09 грн |
| 1000+ | 32.70 грн |
| 5000+ | 31.36 грн |
| SISS26LDN-T1-BE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.86 грн |
| 10+ | 83.49 грн |
| 100+ | 47.79 грн |
| 500+ | 37.92 грн |
| 1000+ | 34.75 грн |
| 3000+ | 29.46 грн |
| 6000+ | 28.83 грн |