SISS26LDN-T1-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS26LDN-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS26LDN-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS26LDN-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SISS26LDN-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS26LDN-T1-BE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SISS26LDN-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)