Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
171-180 дні (днів)
Мінімальна партія:
6000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS32LDN-T1-BE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 42W, Gate charge: 57nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 9.5mΩ.
Інші пропозиції SISS32LDN-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS32LDN-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 42W Gate charge: 57nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 50.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 9.5mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS32LDN-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 50.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 9.5mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 50.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 9.5mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.