Технічний опис SISS5708DN-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 12.8nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 27A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 150V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23mΩ.
Інші пропозиції SISS5708DN-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS5708DN-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.8nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 27A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS5708DN-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.