SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SIZF4412DT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF4412DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Anzahl der Pins: 12Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIZF4412DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIZF4412DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIZF4412DT-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)