SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 88.42 грн |
| 500+ | 70.12 грн |
| 1000+ | 54.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF4412DT-T1-GE3 за ціною від 44.16 грн до 200.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF4412DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIZF4412DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|