SIZF660LDT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A
isCanonical: N
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 126.08 грн |
| 500+ | 98.19 грн |
| 1000+ | 77.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF660LDT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF660LDT-T1-GE3 за ціною від 77.39 грн до 246.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF660LDT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|