SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 102.44 грн |
| 250+ | 90.08 грн |
| 1000+ | 68.23 грн |
| 3000+ | 56.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF906DDT-T1-GE3 за ціною від 43.54 грн до 185.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF906DDT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF906DDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|