Продукція > VISHAY > SIZF906DDT-T1-GE3
SIZF906DDT-T1-GE3

SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY

4332427.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+120.06 грн
250+83.87 грн
1000+57.34 грн
3000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIZF906DDT-T1-GE3 за ціною від 43.06 грн до 189.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIZF906DDT-T1-GE3 SIZF906DDT-T1-GE3 Vishay MOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.26 грн
10+112.67 грн
100+66.04 грн
500+53.43 грн
1000+49.90 грн
3000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3 SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY 4332427.pdf Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.13 грн
50+120.06 грн
250+83.87 грн
1000+57.34 грн
3000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3
SIZF906DDT-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.26 грн
10+112.67 грн
100+66.04 грн
500+53.43 грн
1000+49.90 грн
3000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3 4332427.pdf
SIZF906DDT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+189.13 грн
50+120.06 грн
250+83.87 грн
1000+57.34 грн
3000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.