Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF906DDT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF906DDT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZF906DDT-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIZF906DDT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIZF906DDT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIZF906DDT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)