SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.44 грн |
| 10+ | 93.24 грн |
| 100+ | 72.97 грн |
| 500+ | 58.41 грн |
| 1000+ | 56.98 грн |
| 3000+ | 54.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 60, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET, Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2.2, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIZF918DT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZF918DT-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIZF918DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)