SIZF918DT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF918DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 60, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET, Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2.2, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIZF918DT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZF918DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F |
на замовлення 5121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIZF918DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)