SKB15N60ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 600V 31A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 213+ | 103.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKB15N60ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 279 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V, Gate Charge: 76 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 31 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A, Power - Max: 139 W.
Інші пропозиції SKB15N60ATMA1 за ціною від 125.96 грн до 125.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SKB15N60ATMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SKB15N60ATMA1 - SKB15N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
SKB15N60ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 139000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
SKB15N60ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 279 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A Power - Max: 139 W |
товару немає в наявності |