Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKIIP 12HEB066V1 25230840
SKIIP 12HEB066V1 25230840
  • SKIIP 12HEB066V1 25230840
  • SKIIP 12HEB066V1 25230840

SKIIP 12HEB066V1 25230840 SEMIKRON DANFOSS


SKIIP12HEB066V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V
Electrical mounting: Press-Fit
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Pulsed collector current: 40A
Case: MiniSKiiP® 1
Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; single-phase diode-thyristor bridge
на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3217.89 грн
3+2638.69 грн
8+2371.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKIIP 12HEB066V1 25230840 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V, Electrical mounting: Press-Fit, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Max. off-state voltage: 0.6kV, Pulsed collector current: 40A, Case: MiniSKiiP® 1, Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; single-phase diode-thyristor bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKIIP 12HEB066V1 25230840 за ціною від 2845.33 грн до 3861.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKIIP 12HEB066V1 25230840
+1
SKIIP 12HEB066V1 25230840 Виробник : SEMIKRON DANFOSS SKIIP12HEB066V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V
Electrical mounting: Press-Fit
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Pulsed collector current: 40A
Case: MiniSKiiP® 1
Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; single-phase diode-thyristor bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3861.47 грн
3+3288.22 грн
8+2845.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.