Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKIIP 12HEB066V1 25230840

SKIIP 12HEB066V1 25230840 SEMIKRON DANFOSS


SKIIP12HEB066V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; single-phase diode-thyristor bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 15A
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3215.55 грн
3+2636.77 грн
8+2369.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKIIP 12HEB066V1 25230840 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; single-phase diode-thyristor bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Collector current: 15A, Case: MiniSKiiP® 1, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 40A, Mechanical mounting: screw.