SKM100GAL12T4 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 550A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 123A
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5524.53 грн |
| 3+ | 4846.99 грн |
| 5+ | 4556.62 грн |
| 8+ | 4355.59 грн |
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Технічний опис SKM100GAL12T4 SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SKM100GAL12T4 за ціною від 5163.82 грн до 5676.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
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SKM100GAL12T4 | Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 5-Pin |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SKM100GAL12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SKM100GAL12T4 |
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Виробник: Semikron
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 5-Pin
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 5-Pin
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 5676.96 грн |
| 5+ | 5503.86 грн |
| 10+ | 5163.82 грн |
| SKM100GAL12T4 |
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Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)