SKM100GB125DN SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SEMITRANS2N
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Version: D93
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9190.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM100GB125DN SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SKM100GB125DN за ціною від 11028.69 грн до 16063.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SKM100GB125DN | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 80A Case: SEMITRANS2N Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mechanical mounting: screw Version: D93 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
SKM100GB125DN | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SKM100GB125DN Код товару: 42881
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : SEMIKRON |
Транзистори > IGBT Корпус: SEMITRANS® 2N |
товару немає в наявності
|
|||||
 |
SKM100GB125DN | Виробник : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 7-Pin Case D-93 |
товару немає в наявності |