Інші пропозиції SKM100GB125DN за ціною від 10049.79 грн до 11700.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM100GB125DN | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 80A Case: SEMITRANS2N Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mechanical mounting: screw Version: D93 |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM100GB125DN | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
|||||||
| SKM100GB125DN | Виробник : Semikron |
IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |