SKM100GB125DN SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITRANS2N
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Version: D93
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
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Технічний опис SKM100GB125DN SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SKM100GB125DN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна |
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SKM100GB125DN Код товару: 42881
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Виробник : SEMIKRON |
Транзистори > IGBT Корпус: SEMITRANS® 2N |
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SKM100GB125DN | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| SKM100GB125DN | Виробник : Semikron |
IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
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