Продукція > Транзистори > IGBT > SKM100GB12T4

SKM100GB12T4

Код товару: 83389
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

у наявності: 2 шт
  • 2 шт - склад
КількістьЦіна
1+6481.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM100GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

Інші пропозиції SKM100GB12T4 за ціною від 5635.67 грн до 8837.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12T4.pdf description Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6566.12 грн
8+5635.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8837.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM100GB12T4 description SKM100GB12T4.pdf
SKM100GB12T4
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6566.12 грн
8+5635.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM100GB12T4 description SEMI-S-A0002552663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM100GB12T4
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8837.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HER608
Код товару: 112398
1 Додати до обраних Обраний товар
her601-355474.pdf
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: D6
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 6 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності: 678 шт
  • 435 шт - склад
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 89 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MB160A
Код товару: 48496
Додати до обраних Обраний товар
vs-mbhv.pdf
VS-36MB160A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055
Додати до обраних Обраний товар
MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 A
h21: 40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL316J-500E (SOIC16)
Код товару: 37771
1 Додати до обраних Обраний товар
hcpl316j.pdf
HCPL316J-500E (SOIC16)
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-16
Тип: -
Uізол,kV: 3,7 kV
Iвх/Iвых,mA: /2500 mA
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
у наявності: 36 шт
  • 22 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
1+220.00 грн
10+198.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL7800-000E
Код товару: 25874
Додати до обраних Обраний товар
description hcpl7800-000e.pdf
HCPL7800-000E
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: -
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+160.00 грн
10+144.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.