Технічний опис SKM100GB12T4
- IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- Termination Type:Screw
Інші пропозиції SKM100GB12T4 за ціною від 5652.91 грн до 6581.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM100GB12T4 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS2 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM100GB12T4 | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
товару немає в наявності |