Технічний опис SKM100GB12T4
- IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- Termination Type:Screw
Інші пропозиції SKM100GB12T4 за ціною від 5272.48 грн до 6138.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM100GB12T4 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: SEMITRANS2 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mechanical mounting: screw |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM100GB12T4 | Виробник : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
SKM100GB12T4 | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| SKD82/16 Код товару: 38087
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4744A Код товару: 25622
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 17mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 17mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |