SKM100GB12T4


Код товару: 83389
Виробник:
Транзистори > IGBT

у наявності 2 шт:

2 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM100GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

Інші пропозиції SKM100GB12T4 за ціною від 6675.59 грн до 7319.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Виробник : SEMIKRON SEMI-S-A0002552663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7319.79 грн
5+7023.51 грн
10+6675.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Виробник : Semikron 185241824862693185226350351508semikron_datasheet_skm100gb12t4_22892020.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59492B1F7CEFD6469&compId=SKM100GB12T4.pdf?ci_sign=07f870a302f890688dee46415ec18eb2d70308ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59492B1F7CEFD6469&compId=SKM100GB12T4.pdf?ci_sign=07f870a302f890688dee46415ec18eb2d70308ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SKD82/16
Код товару: 38087
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4744A
Код товару: 25622
Додати до обраних Обраний товар

1N4728A-1N4764A.pdf
1N4744A
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 17mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
у наявності: 141 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.