SKM150GB12T4G SEMIKRON

Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4G - IGBT-Modul, Halbbrücke, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 223A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 223A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.